首页> 外文OA文献 >Chemical treatment of monocrystalline cadmium telluride and Cd1-xMnxTe solid solutions by H2O2 – HI – citratic acid etchant compositions
【2h】

Chemical treatment of monocrystalline cadmium telluride and Cd1-xMnxTe solid solutions by H2O2 – HI – citratic acid etchant compositions

机译:H2O2-HI-柠檬酸刻蚀剂组合物化学处理碲化镉单晶和Cd1-xMnxTe固溶体

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

У відтворюваних гідродинамічних умовах досліджено характер розчинення CdTe та Cd1-xMnxTe в розчинах системи НІ – Н2О2 – цитратна кислота. Побудовані поверхні однакових швидкостей розчинення (діаграми Гіббса), визначені лімітуючі стадії процесу розчинення вказаних напівпровідників. Встановлено області поліруючих, селективних та не поліруючих розчинів у вказаних системах. Виявлено, що внесення в твердий розчин Mn призводить до зменшення швидкості травлення та збільшення діапазону поліруючих розчинів.
机译:在可重现的流体动力学条件下,研究了CdTe和Cd1-xMnxTe在HI-H2O2-柠檬酸体系溶液中的溶解性质。构造具有相同溶解速率的表面(吉布斯图),确定这些半导体溶解过程的极限阶段。建立了指定系统中的抛光,选择性和非抛光解决方案区域。发现将Mn引入固溶体导致蚀刻速率的降低和抛光溶液范围的增加。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号