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机译:导通和关断期间碳化硅mOsFET的电压变化分析
Hui Li; Xinglin Liao; Yaogang Hu; Zhangjian Huang; Kun Wang;
机译:用于短路故障保护的碳化硅MOSFET的关断模式
机译:使用单栅极驱动器分析中压应用的级联碳化硅MOSFET
机译:具有高额定电流的低压功率MOSFET关断有源栅极控制方法的分析和比较
机译:缓解碳化硅(SiC)MOSFET关断期间的电压振荡
机译:4H碳化硅低压MOSFET和功率MOSFET的表征和建模
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:碳化硅mOsFET的同步导通电压和键合线电阻监测
机译:具有氧化硅层的碳化硅(SiC)MOSFET,能够抑制载流子迁移率的下降和阈值电压的变化
机译:碳化硅(SiC)栅极关断(GTO)晶闸管结构,在关断状态下具有更高的关断增益和更大的电压阻断
机译:使用开启延迟,相关电路和计算机程序产品测量碳化硅电源MOSFET器件中实时结温的方法
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