机译:等离子体处理期间引起的层间介电损伤的时间相关介电击穿特性
机译:正偏压温度应力下n-4H-SiC MOS电容器的漏电流传导,空穴注入和时间相关的介电击穿
机译:4H-SiC MOS电容器和DMOSFET的随时间变化的介电击穿
机译:通过双电压斜坡电介质击穿(DVRDB)测试来预测低k / ULK互连电介质的时变电介质击穿(TDDB)特性的改进berman模型
机译:加工引起的损伤对低k有机硅酸盐的导电机理和时间依赖性介电击穿的影响。
机译:双层电容器效应在极性橡胶电介质和异常稳定的低压高跨导有机晶体管中的意义
机译:高 ud的时间依赖性介电击穿特性电压电容器