机译:基于物理的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的紧凑型直流和交流模型
机译:基于物理的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管紧凑型直流和交流模型
机译:基于物理基于对称双闸门MOS晶体管的紧凑型Ⅲ-Ⅳ型沟道材料
机译:太赫兹应用的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的基于物理的器件建模
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:电子辐照通量对基于InP的高电子迁移率晶体管的影响
机译:碳纳米管场效应的紧凑虚源模型 亚10nm系统中的晶体管 - 第I部分内部元件