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【2h】

Correlation of film density and wet etch rate in hydrofluoric acid of plasma enhanced atomic layer deposited silicon nitride

机译：等离子体增强原子层沉积氮化硅中氢氟酸膜密度与湿蚀刻速率的关系

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J. Provine; Peter Schindler; Yongmin Kim; Steve P. Walch; Hyo Jin Kim; Ki-Hyun Kim; Fritz B. Prinz;
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年度 2016
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1. Correlation of film density and wet etch rate in hydrofluoric acid of plasma enhanced atomic layer deposited silicon nitride [J] . J. Provine, Peter Schindler, Yongmin Kim, AIP Advances . 2016,第6期

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2. Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition of SiN-AIN Composites for Ultra Low Wet Etch Rates in Hydrofluoric Acid [J] . Kim Yongmin, Provine J., Waich Stephen P., ACS applied materials & interfaces . 2016,第27期

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3. High growth rate and high wet etch resistance silicon nitride grown by low temperature plasma enhanced atomic layer deposition with a novel silylamine precursor [J] . Kim Harrison Sejoon, Hwang Su Min, Meng Xin, Journal of Materials Chemistry, C. materials for optical and electronic devices . 2020,第37期

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4. WET ETCHING STUDIES ON ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE (ECR) PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITED SILICON NITRIDE FILMS [C] . K. B. Sundaram, R. E. Sah, K. Balachandran International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada . 2000

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