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【2h】

Effect of Oxide Charge and Interface Traps on Drain Current Degradation of Vertical Silicon Tunneling Field Effect Transistors

机译：氧化物电荷和界面陷阱对垂直硅隧穿场效应晶体管漏电流的影响

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A.S.M. Bakibillah; Md. Sohel Rana;
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年度 2014
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1. Effect of Interface Traps and Oxide Charge on Drain Current Degradation in Tunneling Field-Effect Transistors [J] . Huang X. Y., Jiao G. F., Cao W., Electron Device Letters, IEEE . 2010,第8期

机译：界面陷阱和氧化物电荷对隧穿场效应晶体管中漏极电流衰减的影响
2. Compact Hot-Electron Induced Oxide Trapping Charge and Post-Stress Drain Current Modeling for Buried-Channel p-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors [J] . Chorng-Jye Sheu Japanese journal of applied physics . 2008,第8issue1期

机译：埋入沟道p型金属氧化物半导体场效应晶体管的紧凑型热电子感应氧化物陷阱电荷和后应力漏极电流建模
3. Impact of interface traps on gate-induced drain leakage current in n-type metal oxide semiconductor field effect transistor [J] . Touhami A, Bouhdada A International Journal of Electronics . 2005,第9期

机译：界面陷阱对n型金属氧化物半导体场效应晶体管中栅极感应的漏极泄漏电流的影响
4. Modeling and simulation of tunneling current in ultrathin oxide with the presence of oxide/silicon interface traps [C] . Filip, V., Wong, . 2004

机译：存在氧化物/硅界面陷阱的超薄氧化物中隧穿电流的建模与仿真
5. Theory and experiments of electron-hole recombination at silicon/silicon dioxide interface traps and tunneling in thin oxide MOS transistors. [D] . Cai, Jin. 2000

机译：硅/二氧化硅界面陷阱处的电子-空穴复合以及薄氧化物MOS晶体管中的隧穿的理论和实验。
6. Large current modulation and tunneling magnetoresistance change by a side-gate electric field in a GaMnAs-based vertical spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistor [O] . Toshiki Kanaki, Hiroki Yamasaki, Tomohiro Koyama, -1

机译：基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
7. Effect of Interface Traps and Oxide Charge on Drain Current Degradation in Tunneling Field-Effect Transistors [O] . X. Y. Huang, G. F. Jiao, W. Cao, 2015

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