机译:硅表面势垒二极管在8和17.5 keV的X射线响应:证明X射线敏感深度通常不是耗尽深度
机译:全反射X射线荧光光谱法研究硅晶片表面铜深度分布的变化
机译:0.1-2 keV下a-C,B4C和Ni涂层的X射线反射率和深度分布的比较研究
机译:高达15 keV光电子动能的硬X射线光电子能谱的信息深度确定
机译:堆叠的深度渐变多层用于硬X射线,测量高达130 keV
机译:X射线光电子能谱研究水溶液/液界面的溶质深度分布和黄铁矿薄膜的表面结构。
机译:使用固定耗尽型二极管结构的低噪声X射线天文绝缘体上硅像素检测器
机译:硅表面屏障二极管的X射线响应在8和17.5 keV:证据表明X射线敏感深度通常不是耗尽深度