机译:退火温度对真空沉积法在n-Si(100)衬底上生长的ZnO薄膜和Pd / ZnO肖特基接触的性能的影响
机译:单硅化镍/ n-Si肖特基接触中铂和钯效应的电特性
机译:Re / N-Si肖特基触点的电流电压 - 温度和电容电压 - 温度特性分析
机译:n-Si上Co,Ni,Pt或Ru Schottky触点的热稳定性以及在使用电子束沉积进行触点制造期间引入的缺陷
机译:n-Si发射极太阳能电池的栅极接触的特性。
机译:van der WALS金属半导体 - 金属结构的不对称肖特基触点基于二维Janus材料
机译:ZnO薄膜的退火对n-Si上Au / ZnO肖特基接触特征参数的影响