Impact of processing technology on DRAM sense amplifier design

机译：处理技术对DRam读出放大器设计的影响

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

by Jeffrey Carl Gealow.

机译：由Jeffrey Carl Gealow撰写。

著录项

作者
Gealow Jeffrey Carl;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1990
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Single event mirroring and DRAM sense amplifier designs for improved single-event-upset performance [J] . Gulati K., Massengill L.W. IEEE Transactions on Nuclear Science . 1994,第6期

机译：单事件镜像和DRAM读出放大器设计可提高单事件翻转性能
2. A circuit design to suppress asymmetrical characteristics in high-density DRAM sense amplifiers [J] . Yamauchi H., Yabu T. IEEE Journal of Solid-State Circuits . 1990,第1期

机译：抑制高密度DRAM读出放大器中不对称特性的电路设计
3. Sense amplifier signal margins and process sensitivities [DRAM] [J] . Laurent D.G. IEEE Transactions on Circuits and Systems. I, Regular Papers . 2002,第3期

机译：感测放大器的信号裕度和过程灵敏度[DRAM]
4. Design of DRAM sense amplifier using 45nm technology [C] . Ankush Kumar, Akanksha Pandey, Praveen Kumar Sahu, 2018 International Symposium on Devices, Circuits and Systems . 2018

机译：采用45nm技术的DRAM读出放大器设计
5. Design and simulation of class D amplifier using “ON Semiconductor's” power sense 5 processes [D] . Gunaratnam, Paul Aravindan 2011

机译：使用“安森美半导体”功率感测5个过程的D类放大器的设计和仿真
6. A Technology-Computer-Aided-Design-Based Reliability Prediction Model for DRAM Storage Capacitors [O] . Woo Young Choi, Gyuhan Yoon, Woo Young Chung, 2019

机译：基于技术-计算机辅助设计的DRAM存储电容器可靠性预测模型
7. Making sense of the TTO production function: University technology transfer offices as process catalysts, knowledge converters and impact amplifiers [O] . Tahvanainen Antti-Jussi, Hermans Raine 2011

机译：理解TTO生产功能：大学技术转移办公室作为过程催化剂，知识转换器和冲击放大器

Impact of processing technology on DRAM sense amplifier design

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅