机译:半导体表面的台阶结构和外延
机译:基于分子束外延生长的梯度间隙p-Hg0.78Cd0.22Te的金属-绝缘体-半导体结构近表面半导体层中的掺杂剂
机译:通过测量分子束外延生长的基于P-Hg0.78Cd0.22Te的MIS结构的导纳来确定半导体近表面层中掺杂剂浓度的特殊性
机译:采用受控表面步长分布的半导体纳米机电结构的新型制造方法
机译:通过金属有机气相外延生长的III-V族化合物半导体的表面和界面结构形成。
机译:晶体台阶边缘可以将电子捕获在n型有机半导体的表面上
机译:半导体表面的步长结构和外延