Analysis of hot-carrier AC lifetime model for MOSFET

机译：mOsFET的热载流子寿命模型分析

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by Beniyam Menberu.

机译：贝尼娅·米

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Menberu Beniyam;
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年度 1996
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1. An empirical model for the L/sub eff/ dependence of hot-carrier lifetimes of n-channel MOSFETs [J] . Mistry K., Doyle B.S. IEEE Electron Device Letters . 1989,第11期

机译：n沟道MOSFET热载流子寿命的L / sub eff /依赖性的经验模型
2. Analysis of high temperature effects on performances and hot-carrier degradtion in DC/AC stressed 0.35μm n-MOSFETs [J] . A.Bravaix, D.Goguenheim, N.Revil Microelectronics & Reliability . 1999,第1期

机译：高温对DC / AC应力0.35μmn-MOSFETs性能和热载流子退化的影响分析
3. A model for AC hot-carrier degradation in n-channel MOSFETs [J] . Mistry K., Doyle B. IEEE Electron Device Letters . 1991,第9期

机译：n沟道MOSFET中AC热载流子退化的模型
4. Physical-based non-quasi static MOSFET model for DC, AC and transient circuit analysis [C] . Pesic, T., Jankovic, . 2004

机译：基于物理的非准静态MOSFET模型，用于DC，AC和瞬态电路分析
5. AC and noise analysis of deep-submicron MOSFETs. [D] . Oh, Tae-young. 2004

机译：深亚微米MOSFET的交流和噪声分析。
6. Analysis of Compound Synergy in High-Throughput Cellular Screens by Population-Based Lifetime Modeling [O] . Martin Peifer, Jonathan Weiss, Martin L. Sos, 2010

机译：基于人口的寿命模型分析高通量细胞筛选中的化合物协同作用
7. Modeling of Interface Defect Distribution for an n-MOSFETs Under Hot-Carrier Stressing [O] . A. Bouhdada, R. Marrakh 2000

机译：热载应力下n-MOSFET的界面缺陷分布建模

Analysis of hot-carrier AC lifetime model for MOSFET

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