机译:具有0.18- $ mu {hbox {m}} $ SiGe工艺的12-GHz IF带宽的20-32-GHz宽带混频器
机译:与InP / InGaAs双异质结双极晶体管制造工艺兼容的23 GHz带宽单片光接收器
机译:具有5.5 GHz f / sub T / pnp晶体管的模拟互补双极IC技术的工艺和器件优化
机译:Ad8001的总剂量和Seu结果,这是一种以电绝缘,互补双极工艺制造的高性能商用运算放大器
机译:基于0.18μMCMOS工艺的2GHz发射机设计及其线性化,以及基于0.25μM锗硅双极工艺的8 GHz收发器设计(采用GSML方法)。
机译:互补金属氧化物半导体集成碳纳米管阵列:迈向宽带单分子传感系统
机译:采用45GHz NpN和20GHz pNp器件的新型高性能互补双极技术。