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【2h】

Relaxation effects in MOS devices due to tunnel exchange with near-interface oxide traps

机译:由于与近界面氧化物陷阱的隧道交换,mOs器件中的弛豫效应

摘要

by Theodore L. Tewksbury III.
机译:由西奥多·L·图克斯伯里(Theodore L.

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