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【2h】

Detection of effective recombination centers in fluorescent SiC using thermally stimulated luminescence

机译:使用热刺激发光检测荧光siC中的有效复合中心

摘要

Two n-type 6H fluorescent SiC (f-SiC) samples have been characterized using thermally stimulated luminescence (TSL) spectroscopy, where the dominant carriers recombination regime has been found via the numerical simulations.
机译:使用热激发发光(TSL)光谱对两个n型6H荧光SiC(f-SiC)样品进行了表征,其中通过数值模拟发现了主要的载流子复合形式。

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