首页> 外文OA文献 >Investigating Enhancement Mode Gallium Nitride Power FETs in High Voltage, High Frequency Soft Switching Converters
【2h】

Investigating Enhancement Mode Gallium Nitride Power FETs in High Voltage, High Frequency Soft Switching Converters

机译:研究高压,高频软开关变换器中的增强型氮化镓功率FET

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

An increased attention has been detected to develop smaller and lighter high voltage power converters in the range of 50V to 400V domain. The main applications for these converters are mainly focused for Power over Ethernet (PoE), LEDlighting and AC adapters. This work will discuss a study of using enhancement mode gallium nitride switches to form a 50V quasi-square-wave zero-voltage-switching buck converter running at 2-6 MHz under full load. The designedconverter achieved 83% efficiency converting 50V input voltage to 12.2V at 9W load.
机译:已经发现,人们越来越关注开发50V至400V范围内的更小,更轻的高压电源转换器。这些转换器的主要应用主要集中在以太网供电(PoE),LEDlighting和AC适配器。这项工作将讨论使用增强模式氮化镓开关形成在满负载下以2-6 MHz运行的50V准方波零电压开关降压转换器的研究。设计的转换器在9W负载下将50V输入电压转换为12.2V时达到83%的效率。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号