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808 nm tapered diode lasers optimized for high output power and nearly diffraction-limited beam quality in pulse mode operation

机译：808 nm锥形二极管激光器针对脉冲模式操作中的高输出功率和接近衍射限制的光束质量进行了优化

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Jensen Ole Bjarlin; Klehr A.; Dittmar F.; Sumpf B.; Erbert G.; Andersen Peter E.; Petersen Paul Michael;
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年度 2007
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
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1. 9-W Output Power From an 808-nm Tapered Diode Laser in Pulse Mode Operation With Nearly Diffraction-Limited Beam Quality [J] . Dittmar F., Klehr A., Sumpf B., IEEE journal of selected topics in quantum electronics . 2007,第期

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2. High-Power 808-nm Tapered Diode Lasers With Nearly Diffraction-Limited Beam Quality of M~(2) velence 1.9 at P velence 4.4 W [J] . F. Dittmar, B. Sumpf, J. Fricke, IEEE Photonics Technology Letters . 2006,第4期

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