Denne afhandling fokuserer på analysering af de optiske egenskaber ved Donor-Acceptor-Par (DAP) co-doperet Fluorescerende Silicium Carbide (f-SiC) som bølgelængde konvertering i hvide lysdioder (LED’er). Alternativ fabrikationsmetoder af Antireflekterende Strukturer (ARS) på f-SiC er præsenteret, med det formål at lys ekstraktionen forbedres. Hvide LED’er er de mest lovende til at erstatte de konventionelle lyskilder. En typisk hvid LED består af blå eller ultraviolette Gallium Nitrid (GaN) LED stak og en bølgelængde-konverterings materiale. Det brede optiske båndgab i Silicium Carbide (SiC) gør det muligt at designe materialet til at udsende lys med forskellige bølgelængder ved at introducere forskellige doping produkter. De sammenlagte spektre af to typer DAP co-doperet f-SiC er i stand til at dække hele det synlige spektrum og gør f-SiC den førende kandidat af bølgelængde-konverterings materiale. Den har en overlegen farvegengivelse og længere materiale levetid sammenlignet med de ofte anvendte bølgelængde-konverterings materialer som fosfor. I denne afhandling er f-SiC med forskellige dopering analyseret og optimeret for at forbedre kvante-effektiviteten.På den anden side medfører den høje brydningsindeksforskel mellem halvleder and luft, at halvleder materialer har en meget lav lys ekstraktion. ARS er ofte blevet anvendt i LED og solcelle applikationer på halvleder overfladen for at overkomme denne ulempe. Denne afhandling har teoretisk undersøgt effekten af overflade ARS på kolorimetri og lys ekstraktionen af f-SiC baseret på hvid LED. Yderligere er forskellige metoder til fabrikation af periodiske og pseudo-periodiske ARS blevet præsenteret. Introduktionen af ARS har vist en betydelig nedsættelse af overfalderefleksion samt retningsuafhængige forstærkning af luminescens.
展开▼
