首页> 外文OA文献 >High-amplitude THz and GHz strain waves, generated by ultrafast screening of piezoelectric fields in InGaN/GaN multiple quantum wells
【2h】

High-amplitude THz and GHz strain waves, generated by ultrafast screening of piezoelectric fields in InGaN/GaN multiple quantum wells

机译:通过InGaN / GaN多量子阱中的压电场的超快屏蔽产生的高振幅THz和GHz应变波

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

Screening of large built-in piezoelectric fields in InGaN/GaN quantum wells leads to high-amplitude acoustic emission. We will compare acoustic emission by quantum wells with different thicknesses with photoluminescence; indicating screening.
机译:在InGaN / GaN量子阱中屏蔽大型内置压电场会导致高振幅声发射。我们将比较具有不同厚度的量子阱的声发射与光致发光;表明正在筛选。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号