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【2h】

Theoretical analysis of quantum dot amplifiers with high saturation power and low noise figure

机译:高饱和功率和低噪声系数量子点放大器的理论分析

摘要

Semiconductor quantum dot amplifiers are predicted to exhibit superior characteristics such as high gain, and output power and low noise. The analysis provides criteria and design guidelines for the realization of high quality amplifiers.
机译:预计半导体量子点放大器将表现出优异的特性,例如高增益,输出功率和低噪声。该分析为实现高质量放大器提供了标准和设计指南。

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