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Annealing Effects on Ferroelectric Domain Configuration of Tri-Glycine Sulfate

机译:退火对三氨基硫酸铵铁电畴结构的影响

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摘要

Annealing effects on the domain configura tion of TGS single crystals are examined with etching the ( 0 1 0 ) plane. The domain of the one annealed at a temperature higher than 70℃ is fine lamellar elongated along the direction perpendicular to the c-axis. The lamellar becomes larger with the lapse of time after the annealing. The change lasts more than 100 days. The moving domain boundaries, during this change, are not caught by dislocations introduced in the process of the crystal growth. The annealing effect on the domain is not related to the annealing time and the cooling rate.
机译:通过蚀刻(0 1 0)平面检查了退火对TGS单晶的畴构型的影响。在高于70℃的温度下退火的一个区域是沿垂直于c轴方向伸长的细薄片。退火后,随着时间的流逝,层状结构变大。更改持续超过100天。在这种变化过程中,移动的晶界边界不会被晶体生长过程中引入的位错捕获。退火对畴的影响与退火时间和冷却速率无关。

著录项

  • 作者

    中谷 訓幸;

  • 作者单位
  • 年度 1977
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 ja
  • 中图分类

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