Electron emission characteristics of three terminal vacuum microelectronic devices using sidewall formation process

摘要

側壁形成工程を用いた微細形状真空三端子デバイスの電子放出特性について検討した。サイドウオール構造を形成し，その上に電極層を蒸着することでエミッタ，ゲートの1000Å微小ギャップを形成する。そして対向アノードを設けた表面伝導型電子エミッタ構造のデバイスである，ファウラーノルドハイム型の電子放出が見られ，エミッタ電圧160V，アノード電圧200Vでのアノード電流は5μAであった。エミッタよりアノードへの電子到達効率は25%であった。