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Heteroepitaxy of Group IV-VI Nitrides by Atomic Layer Deposition

机译:IV-VI族氮化物的原子层沉积异质外延

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摘要

Heteroepitaxial growth of selected group IV-VI nitrides on variousorientations of sapphire (\alpha-Al2O3) is demonstrated using atomic layerdeposition. High quality, epitaxial films are produced at significantly lowertemperatures than required by conventional deposition methods. Characterizationof electrical and superconducting properties of epitaxial films reveals areduced room temperature resistivity and increased residual resistance ratio(RRR) for films deposited on sapphire compared to polycrystalline samplesdeposited concurrently on fused quartz substrates.
机译:使用原子层沉积证明了在蓝宝石(\ alpha-Al2O3)的各种取向上所选IV-VI族氮化物的异质外延生长。在比传统沉积方法所需的温度低得多的温度下生产高质量的外延膜。与同时沉积在熔融石英衬底上的多晶样品相比,外延膜的电和超导性能的表征显示出降低的室温电阻率和沉积在蓝宝石上的膜的残余电阻比(RRR)的增加。

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