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【2h】

Nonlinear high-frequency hopping conduction in two-dimensional arrays of Ge-in-Si quantum dots: Acoustic methods

机译:二维阵列中的非线性高频跳频传导   Ge-in-si量子点:声学方法

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摘要

Using acoustic methods we have measured nonlinear AC conductance in 2D arraysof Ge-in-Si quantum dots. The combination of experimental results and modelingof AC conductance of a dense lattice of localized states leads us to theconclusion that the main mechanism of AC conduction in hopping systems withlarge localization length is due to the charge transfer within large clusters,while the main mechanism behind its non-Ohmic behavior is charge heating byabsorbed power.
机译:使用声学方法,我们已经测量了锗硅锗量子点的二维阵列中的非线性交流电导。实验结果与局部状态致密晶格的交流电导率建模相结合,得出结论:局部化长度较大的跳频系统中交流电的主要机理是由于大簇内的电荷转移引起的,而其背后的主要机理是-欧姆行为是吸收功率引起的电荷加热。

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