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Enhanced Light Emission from Erbium Doped Silicon Nitride in Plasmonic Metal-Insulator-Metal Structures

机译:等离子体中掺铒氮化硅的增强发光   金属绝缘体 - 金属结构

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摘要

Plasmonic gratings and nano-particle arrays in a metal-insulator-metalstructures are fabricated on an erbium doped silicon nitride layer. Thismaterial system enables simple fabrication of the structure, since the activenitride layer can be directly grown on metal. Enhancement of collected emissionof up to 12 is observed on resonance, while broad off-resonant enhancement isalso present. The output polarization behavior of the gratings andnano-particle arrays is investigated and matched to plasmonic resonances, andthe behavior of coupled modes as a function of inter-particle distance is alsodiscussed.
机译:金属-绝缘体-金属结构中的等离子光栅和纳米粒子阵列是在掺mon氮化硅层上制造的。该材料系统可以使结构的制造简单,因为可以在金属上直接生长活性氮化物层。在共振时观察到收集的发射的增强多达12,同时也存在广泛的非共振增强。研究了光栅和纳米粒子阵列的输出极化行为,并将其与等离子体共振相匹配,并且还讨论了耦合模式的行为与粒子间距离的关系。

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