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Superconductivity in hole-doped C60 from electronic correlations

机译:空穴掺杂C60的超导电子相关性

摘要

We derive a model for the highest occupied molecular orbital band of a C60crystal which includes on-site electron-electron interactions. The form of theinteractions are based on the icosahedral symmetry of the C60 molecule togetherwith a perturbative treatment of an isolated C60 molecule. Using this model wedo a mean-field calculation in two dimensions on the [100] surface of thecrystal. Due to the multi-band nature we find that electron-electroninteractions can have a profound effect on the density of states as a functionof doping. The doping dependence of the transition temperature can then bequalitatively different from that expected from simple BCS theory based on thedensity of states from band structure calculations.
机译:我们推导了一个C60晶体的最高占据分子轨道带的模型,该模型包括现场电子-电子相互作用。相互作用的形式基于C60分子的二十面体对称性以及对分离出的C60分子的扰动处理。使用该模型,我们在晶体的[100]表面上进行了二维平均场计算。由于多频带的性质,我们发现电子-电子相互作用可以对作为掺杂函数的态密度产生深远的影响。然后,基于能带结构计算得出的态密度,过渡温度的掺杂依赖性可以与简单BCS理论所预期的掺杂性存在质性差异。

著录项

  • 作者

    Granath M.; Ostlund S.;

  • 作者单位
  • 年度 2002
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
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  • 中图分类

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