机译:穿线位错密度和介电层对硅衬底上晶片尺寸外延生长的p型锗制成的高空穴迁移率金属半导体场效应晶体管的温度相关电特性的影响
机译:MD研究有限温度对元素Pu和Pu-Ga合金的相序,堆垛层错能和边缘位错核心结构的影响
机译:共掺杂氮气和锗对Czochralski硅脱位滑动的影响:提高机械强度的含义
机译:锗对p型直拉硅中位错运动的影响
机译:无位错应变工程硅和硅锗纳米膜。
机译:通过共面和非共面X射线衍射表征在(011)和(111)取向硅上生长的锗层中的位错
机译:温度对硅和锗中位错核心能量的影响
机译:高应力和低温下锗的位错迁移