首页> 外文OA文献 >Average drift mobility and apparent sheet-electron density profiles in strained-Si-SiGe buried-channel depletion-mode n-MOSFETs

【2h】

Average drift mobility and apparent sheet-electron density profiles in strained-Si-SiGe buried-channel depletion-mode n-MOSFETs

机译：应变si-siGe掩埋沟道耗尽型n-mOsFET中的平均漂移迁移率和表观片电子密度分布

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

AI期刊论文写作 >>

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

Published version

机译：发行版本

著录项

作者
Michelakis K; Vilches A; Papavassiliou C; Despotopoulos S; Fobelets K; Toumazou C;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2004
总页数
原文格式 PDF
正文语种 EN
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Ion Profiling in an Ambient Drift Tube-Ion Mobility Spectrometer Using a High Pixel Density Linear Array Detector IonCCD [J] . Stephen J. Davila, Omar Hadjar, Gary A. Eiceman Analytical chemistry . 2013,第14期

机译：使用高像素密度线性阵列检测器IonCCD的环境漂移管离子迁移谱仪中的离子分析
2. Interface state densities, low frequency noise and electron mobility in surface channel In_(0.53)Ga_(0.47)As n-MOSFETs with a ZrO_2 gate dielectric [J] . Muhammad Adi Negara, Niti Goel, Daniel Bauza, Microelectronic Engineering . 2011,第7期

机译：具有ZrO_2栅极电介质的表面沟道In_（0.53）Ga_（0.47）As n-MOSFET的界面态密度，低频噪声和电子迁移率
3. Influence of a carrier supply layer on carrier density and drift mobility of AlGaN/GaN/SiC high-electron-mobility transistors [J] . M. Marso, J. Bernat, P. Javorka, Applied Physics Letters . 2004,第15期

机译：载流子供应层对AlGaN / GaN / SiC高电子迁移率晶体管的载流子密度和漂移迁移率的影响
4. Density and velocity profiles of non-dilute poly disperse sediment water mixtures using the drift flux model [C] . J C Goeree, G Keetels, C van Rhee, International Conference on Hydrotransport . 2014

机译：使用漂移通量模型的非稀释多分散沉积物水混合物的密度和速度分布
5. Water Mobility within Compacted Clay Samples: Multi-ScaleAnalysis Exploiting 1H NMR Pulsed Gradient Spin Echo andMagnetic Resonance Imaging of Water Density Profiles [O] . Patrice Porion, *, Eric Ferrage, 2018

机译：压实粘土样品中的水流动性：多尺度1H NMR脉冲梯度自旋回波和水密度剖面的磁共振成像
6. Average drift mobility and apparent sheet-electron density profiles in strained-Si-SiGe buried-channel depletion-mode n-MOSFETs [O] . Michelakis, K, Vilches, A, Papavassiliou, C, 2004

机译：应变Si-SiGe掩埋沟道耗尽型n-MOSFET中的平均漂移迁移率和表观电子密度分布
7. Electron Density Profiles and Plasma Drift Measurements with Digital Ionosondes [R] . Reinisch, B. W., Buchau, J., Gamache, R. R., 1988

机译：使用数字Ionosondes进行电子密度分布和等离子漂移测量

Average drift mobility and apparent sheet-electron density profiles in strained-Si-SiGe buried-channel depletion-mode n-MOSFETs

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅