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Efeito de campos elétricos, dopagens não-abruptas e interfaces graduais na estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/AlGaAs e GaN/AlGaN

机译：电场，非突变掺杂和渐变界面对Gaas / alGaas和GaN / alGaN量子阱电子结构的影响

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Tese (doutorado)—Universidade de Brasília, Instituto de Física, 2007.

机译：论文（博士学位）—巴西利亚大学物理研究所，2007年。

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作者
Enders Neto Bernhard Georg;
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年度 2007
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