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【2h】

Role of field-effect on c-Si surface passivation by ultrathin (2-20 nm) atomic layer deposited Al2O3

机译：场效应在超薄（2-20 nm）原子层沉积的Al2O3对c-Si表面钝化中的作用

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Terlinden, NM Nick; Dingemans, G Gijs; Sanden, van de, MCM Richard; Kessels, WMM Erwin;
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年度 2010
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1. Role of field-effect on c-Si surface passivation by ultrathin (2-20 nm) atomic layer deposited Al_2O_3 [J] . N. M. Terlinden, G. Dingemans, M. C. M van de Sanden, Applied Physicsletters . 2010,第11期

机译：场效应对超薄（2-20 nm）原子层沉积Al_2O_3的c-Si表面钝化的作用
2. Role of field-effect on c-Si surface passivation by ultrathin (2–20 nm) atomic layer deposited Al2O3 [J] . N. M. Terlinden G. Dingemans M. C. M van de Sanden and W. M. M. Kessels Applied Physics Letters . 2010,第11期

机译：场效应在超薄（2-20 nm）原子层沉积的Al2O3对c-Si表面钝化中的作用
3. Properties of the c-Si/Al2O3 interface of ultrathin atomic layer deposited Al2O3 layers capped by SiNx for c-Si surface passivation [J] . Schuldis D., Richter A., Benick J., Applied Physics Letters . 2014,第23期

机译：超薄原子层沉积的Al 2 O 3 层的c-Si / Al 2 O 3 界面的性质被SiN x 覆盖以进行c-Si表面钝化
4. Excellent c-Si surface passivation by industrial firing activation of thermal atomic layer deposited Al2O3 [C] . B.Liao, B.Hoex, R.Stangl, International photovoltaic science and engineering conference . 2012

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5. Atomic Layer Deposited Al2O3 and TiO2 for High-k Dielectric and Memory Applications [D] . Tang, Kechao. 2017

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6. Oxidation precursor dependence of atomic layer deposited Al2O3 films in a-Si:H(i)/Al2O3 surface passivation stacks [O] . Yuren Xiang, Chunlan Zhou, Endong Jia, 2015

机译：a-Si：H（i）/ Al2O3表面钝化堆栈中原子层沉积的Al2O3膜的氧化前体依赖性
7. Effective passivation of crystalline silicon surfaces by ultrathin atomic-layer-deposited TiOx layers [O] . Titova, V., Veith-Wolf, B., Startsev, D., 2017

机译：超薄原子层沉积的TiOx层对晶体硅表面的有效钝化
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