Noise in DMOS transistors in a BICMOS-technology

机译：BICMOS技术中DMOS晶体管中的噪声

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Langevelde, van, R Ronald; Blieck, S; Vandamme, LKJ Lodewijk = Lode;
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年度 1996
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1. Noise in DMOS transistors in a BICMOS-technology [J] . Van Langevelde R., Blieck S. IEEE Transactions on Electron Devices . 1996,第8期

机译：BICMOS技术中DMOS晶体管中的噪声
2. Effects of ionizing radiation on the noise properties of DMOS power transistors [J] . Babcock J.A., Titus J.L. IEEE Transactions on Nuclear Science . 1991,第6期

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3. Determination of active oxide trap density and 1/f noise mechanism in RESURF LDMOS transistors [J] . Celik-Butler Z., Mahmud M. I., Hao P., Solid-State Electronics . 2015,第sepa期

机译：确定RESURF LDMOS晶体管中的有源氧化物陷阱密度和1 / f噪声机理
4. Experimental analysis of DC and noise parameter degradation in n-channel reduced surface field (RESURF) LDMOS transistors [C] . Mahmud M. Iqbal, Celik-Butler Zeynep, Cheng Xu, Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2012 24th International Symposium on . 2012

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5. A physically based predicted lateral DMOS transistor model and circuit simulator for intelligent power IC design. [D] . Chung, Yeonbae. 1995

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