首页> 外文OA文献 >Efficient controlled-phase gate for single-spin qubits in quantum dots
【2h】

Efficient controlled-phase gate for single-spin qubits in quantum dots

机译:量子点中单旋量子位的高效控制相门

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

Two-qubit interactions are at the heart of quantum information processing. For single-spin qubits in semiconductor quantum dots, the exchange gate has always been considered the natural two-qubit gate. The recent integration of a magnetic field or g-factor gradients in coupled quantum dot systems allows for a one-step, robust realization of the controlled-phase (C-phase) gate instead. We analyze the C-phase gate durations and fidelities that can be obtained under realistic conditions, including the effects of charge and nuclear field fluctuations, and find gate error probabilities of below 10-4, possibly allowing fault-tolerant quantum computation.
机译:两量子位相互作用是量子信息处理的核心。对于半导体量子点中的单旋转量子位,交换门一直被认为是自然的两个量子位门。耦合量子点系统中磁场或g因子梯度的最新集成可实现受控相(C相)门的一步式稳健实现。我们分析了在现实条件下可以获得的C相门极持续时间和保真度,包括电荷和核场波动的影响,并发现了10-4以下的门极误差概率,这可能允许容错量子计算。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号