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【2h】

Trap filled limit and high current-voltage characteristics of organic diodes with non-zero Schottky barrierud

机译：具有非零肖特基势垒的有机二极管的陷阱填充极限和高电流 - 电压特性 ud

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作者
Kumar Pankaj; Jain S. C.; Kumar Vikram; Chand Suresh; Tandon R. P.;
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年度 2008
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1. Trap filled limit and high current-voltage characteristics of organic diodes with non-zero Schottky barrier [J] . Kumar P, Jain SC, Kumar V, Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal . 2008,第15期

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2. Impact of interface traps on current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky-barrier diodes [J] . Hamid Amini Moghadam, Sima Dimitrijev, Jisheng Han Materials science forum . 2014,第pta2期

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3. Effect of non-zero Schottky barrier on the J-V characteristics of organic diodes [J] . Pankaj Kumar, S.C. Jain, Vikram Kumar, The European physical journal, E. Soft matter . 2009,第4期

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4. Impact of interface traps on current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky-barrier diodes [C] . Hamid Amini Moghadam, Sima Dimitrijev, Jisheng Han Conference on Silicon Carbide and Related Materials . 2014

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5. THE EFFECTS OF TRAPS ON THE CAPACITANCE OF SELENIUM SCHOTTKY BARRIER DIODES [D] . KRAMBECK, ROBERT H. -1

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