机译:UD掠入射X射线衍射(GIRXD)研究siC(x)Fe(y)和siC(x)N(y)Fe(z)薄膜的相组成 ud
机译:放牧发病X射线衍射(GIRXD)研究SiC_XFE_Y和SIC_XN_YFE_Z薄膜的相组成
机译:磁控溅射气氛对GaN / SiC界面和氮化镓薄膜晶体结构影响的二维X射线衍射和透射电镜研究
机译:X射线衍射,拉曼散射和离子通道对3C-SiC辐射缺陷动力学的比较研究
机译:SiC衬底,外延层和器件中缺陷的同步白光X射线形貌和高分辨率三轴X射线衍射研究
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:由硅烷阴离子MeSiC4Ph4合成11-双(1-甲基/氯-2345-四苯基-1-硅环戊二烯基)Ph4C4Si(Me / Cl)-(Me / Cl)SiC4Ph4 −•Li +或Na +和Silole Dianion SiC4Ph4 2-•2 Li +;氯化亚铁(FeCl2)对硅阴离子MeSiC4Ph4-•Li +或Na +的氧化偶联和氯化铜(CuCl2)对硅阴离子SiC4Ph4 2-•2 Li +的氧化偶联和氯化处理
机译:X射线粉末衍射研究MgB 2 sub>超导体与纳米SiC反应的超导体:烧结温度的影响