机译:基于二维表面电位的阈值电压模型,用于短沟道非对称重掺杂DG MOSFET
机译:准确,分析和技术映射的阈值表面电势定义以及MOSFET阈值电压的新假设
机译:使用兰伯特W函数及其阈值电压定义,精确地分析沟道表面电势作为未掺杂MOSFET中栅极电压的显式函数
机译:具有高k栅极氧化物的纳米级全耗尽应变SOI MOSFET的分析表面电势和阈值电压模型
机译:阈值电压不稳定性对碳化硅mosfet可靠性的原因和影响
机译:基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
机译:基于二维α1表面电位分布的亚微米mOsFET阈值电压研究
机译:50 nm外延通道mOsFET中的随机掺杂阈值电压波动:3D'原子'模拟研究