Atmospheric-pressure MOVPE growth of In-rich InAlN

机译：富含InalN的大气压mOVpE生长

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HOUCHIN Y; HASHIMOTO A; YAMAMOTO A;
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年度 2008
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1. Atmospheric-pressure MOVPE growth of In-rich InAlN [J] . Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto Physica status solidi . 2008,第6期

机译：富InAlN的大气压MOVPE生长
2. Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD [J] . Chauhan P., Hasenohrl S., Dobrocka E., Journal of Applied Physics . 2019,第10期

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3. Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD [J] . Chauhan P., Hasenohrl S., Dobrocka E., Journal of Applied Physics . 2019,第10期

机译：菌株与掺入之间的关系的证据：OMCVD的N-极性无含量的含量生长
4. Atmospheric-pressure MOVPE growth of In-rich InAIN [C] . Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto International Conference of Nitride Semiconductors . 2008

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机译：富含InalN的大气压mOVpE生长
8. Growth of In-rich InGaN Quantum Dots (QDs) by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) [R] . Yoon, E. 2006

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