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【2h】

Nitridation Behavior of GaAs(lll)B Surfaces in NH3 Flow and Evaluation of the Nitrided GaAs(lll)B as Substrates for MOCVD Growth of InN

机译：NH3流中Gaas（III）B表面的氮化行为及氮化Gaas（III）B作为InN mOCVD生长衬底的评价

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作者
山内康之; 新谷智弘; 大久保貢; 橋本明弘; 山本暠勇; YAMAUCHI Yasuyuki; SIDN-YA Tomohiro; OHKUBO Mitsugu; HASHIMOTO Akihiro; YAMAMOTO Akio;
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作者单位

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年度 1996
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