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【2h】

Guidelines for MOSFET Device Optimization accounting for L-dependent Mobility Degradation

机译：mOsFET器件优化指南考虑L依赖性迁移率降低

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机译：国际观众

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作者
Bidal Grégory; Fleury Dominique; Ghibaudo Gérard; Boeuf Frédéric; Skotnicki Thomas;
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年度 2009
总页数
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1. A novel single-device DC method for extraction of the effective mobility and source-drain resistances of fresh and hot-carrier degraded drain-engineered MOSFET's [J] . Choon-Leong Lou, Wai-Kin Chim IEEE Transactions on Electron Devices . 1998,第6期

机译：一种新颖的单器件直流方法，用于提取新鲜的和热载流子退化的漏极工程MOSFET的有效迁移率和源极-漏极电阻
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机译：亚微米MOSFET模拟的迁移率模型，包括热载流子引起的器件退化
3. Characterization of Series Resistance and Mobility Degradation Parameter and Optimizing Choice of Oxide Thickness in Thin OxideN-Channel MOSFET [J] . NoureddineMaouhoub, KhalidRais Active and passive electronic components . 2011,第2期

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4. On the extraction methods for MOSFET series resistance and mobility degradation using a single test device [C] . Adelmo Ortiz-Conde, Andrea Sucre-González, Fabián Zárate-Rincón, International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems . 2017

机译：使用单个测试设备提取MOSFET串联电阻和迁移率下降的方法
5. Characterization of 4H-silicon carbide MOSFETs using first principles Coulomb scattering mobility modeling and device simulation. [D] . Potbhare, Siddharth. 2005

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7. Characterization of Series Resistance and Mobility Degradation Parameter and Optimizing Choice of Oxide Thickness in Thin OxideN-Channel MOSFET [O] . Noureddine Maouhoub, Khalid Rais 2011

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