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Physical and electrical properties of MOCVD and ALD deposited HfZrO4 gate dielectrics for 32nm CMOS high performance logic SOI technologies

机译：用于32nm CmOs高性能逻辑sOI技术的mOCVD和aLD沉积HfZrO4栅极电介质的物理和电学特性

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Kelwing T.; Mutas S.; Trentzsch M.; Naumann A.; Trui B.; Herrmann L.; Graetsch F.; Klein C.; Wilde L.; Ohsiek S.; Weisheit M.; Peeva A.; Richter I.; Prinz H.; Wuerfel A.; Carter R.; Stephan R.; Kücher P.; Hansch W.;
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年度 2010
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