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【2h】

A 200 GHz monolithic integrated power amplifier in metamorphic HEMT technology

机译：采用变质HEmT技术的200 GHz单片集成功率放大器

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Kallfass, I.; Pahl, P.; Massler, H.; Leuther, A.; Tessmann, A.; Koch, S.; Zwick, T.;
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年度 2009
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1. A 200 GHz Monolithic Integrated Power Amplifier in Metamorphic HEMT Technology [J] . Kallfass I., Pahl P., Massler H., Microwave and Wireless Components Letters, IEEE . 2009,第6期

机译：变质HEMT技术的200 GHz单片集成功率放大器
2. A 200 GHz Medium Power Amplifier MMIC in Cascode Metamorphic HEMT Technology [J] . Campos-Roca Y., Tessmann A., Amado-Rey B., Microwave and Wireless Components Letters, IEEE . 2014,第11期

机译：采用Cascode变体HEMT技术的200 GHz中功率放大器MMIC
3. A 94-GHz monolithic balanced power amplifier using 0.1-/spl mu/m gate GaAs-based HEMT MMIC production process technology [J] . Aust M., Wang H. IEEE Microwave and Guided Wave Letters . 1995,第1期

机译：采用基于GaAs的0.1- / spl mu / m栅极GaAs HEMT MMIC生产工艺技术的94-GHz单片平衡功率放大器
4. A 200 GHz driver amplifier in metamorphic HEMT technology [C] . B. Amado-Rey, Y. Campos-Roca, S. Maroldt, Asia-Pacific Microwave Conference . 2015

机译：Metalymphic HEMT技术中的200 GHz驱动放大器
5. Ka-Band and W-Band Millimeter-Wave Wideband Linear Power Amplifier Integrated Circuits at 30 GHz and 90 GHz with Greater Than 100 mW OutputPowers in Commercially-Available 0.12 Micron Silicon Germanium HBT Technology [D] . Chang, Michael S. 2017

机译：采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路，输出功率超过100 mW
6. Ku-Band 50 W GaN HEMT Power Amplifier Using Asymmetric Power Combining of Transistor Cells [O] . Seil Kim, Min-Pyo Lee, Sung-June Hong, 2018

机译：利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
7. Modelling of a 4-18GHz 6W flip-chip integrated power amplifier based on GaN HEMTs technology [O] . De Meyer S., Philippon Audrey, Campovecchio M., 2005

机译：基于GaN HEMTs技术的4-18GHz 6W倒装芯片集成功率放大器的建模

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