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Réalisation de couches minces nanocomposites par un procédé original couplant la pyrolyse laser et la pulvérisation magnétron (application aux cellules solaires tout silicium de troisième génération)

机译:通过原始工艺耦合激光热解和磁控溅射生产纳米复合薄层(应用于第三代硅太阳能电池)

摘要

Ce travail porte sur la synthèse de couches minces de nanoparticules de silicium (np-Si) encapsulées dans une matrice diélectrique en vue d une application en tant que couche active pour les cellules solaires de 3ème génération. La technique utilisée pour la synthèse des np-Si est la pyrolyse laser. Cette technique nous a permis d obtenir des np-Si cristallines d environ 5 nm de diamètre avec une distribution en taille étroite. Par ailleurs, l utilisation de gaz précurseurs spécifiques (PH , B H ) dans le mélange réactionnel a rendu possible le dopage (type n ou p) des np-Si. Le dopage effectif des np-Si a pu être mis en évidence par des mesures de résonance paramagnétique électronique (RPE). Des films de np-Si seules ont pu être déposés in-situ via la création d un jet supersonique de gaz contenant les particules de silicium. Les caractérisations optoélectroniques de ces couches ont montré un effet de confinement quantique fort au sein de films, garantissant ainsi un élargissement important du gap du silicium de 1.12 eV (pour le silicium massif) à environ 2 eV (pour les np-Si) ; prérequis indispensable pour réaliser une cellule tandem tout silicium. Des mesures de résistivité sur ces films ont permis de confirmer l activité des dopants au sein des np-Si. Pour les np-Si dopées au phosphore une diminution de la résistivité de plus de 5 ordres de grandeurs par rapport au np-Si intrinsèques a été observée. Le couplage entre la pyrolyse laser et la pulvérisation magnétron via notre dispositif original de synthèse s est révélé parfaitement adapté à l élaboration de couches minces nanocomposites np-Si/SiO . Un comportement de type diode a pu être mis en évidence sur une jonction constituée par la superposition d une couche nanocomposites (type n) sur un substrat de silicium massif (type p). Au-delà de la simple application au photovoltaïque, le procédé couplé, largement éprouvé et optimisé au cours de ce travail de thèse, pourrait permettre la réalisation d une multitude de couches nanocomposites différentes, puisque la nature chimique des particules et de la matrice peuvent être choisies indépendamment.
机译:这项工作涉及到封装在介电基质中的硅纳米颗粒(np-Si)薄层的合成,以用作第三代太阳能电池的活性层。用于合成np-Si的技术是激光热解。该技术使我们能够获得直径约5 nm的窄尺寸分布的晶体np-Si。此外,在反应混合物中使用特定的前驱物气体(PH,B H)使得对np-Si进行掺杂(n或p型)成为可能。 np-Si的有效掺杂可以通过电子顺磁共振(EPR)测量来证明。单独的np-Si膜可以通过产生包含硅颗粒的气体的超音速射流而原位沉积。这些层的光电特性显示出在薄膜内的强大量子限制效应,从而确保了硅间隙从1.12 eV(对于固态硅)到2 eV(对于np-Si)显着扩大;制造全硅串联电池的必要先决条件。在这些膜上进行电阻率测量,可以确认np-Si中掺杂剂的活性。对于掺磷的np-Si,已经观察到与本征np-Si相比,电阻率降低了5个数量级以上。事实证明,通过我们原始的合成装置进行的激光热解和磁控溅射之间的耦合非常适合于生产np-Si / SiO纳米复合材料薄层。可以在由纳米复合层(n型)叠加在固态硅衬底(p型)上形成的结上证明二极管的行为。除了简单地应用于光伏外,在本文工作过程中经过广泛测试和优化的耦合过程还可以实现多种不同的纳米复合层,因为颗粒和基体的化学性质可以被改变。独立选择。

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