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ZINC-INDIUM-OXIDE - A HIGH-CONDUCTIVITY TRANSPARENT CONDUCTING OXIDE

机译:氧化锌-一种高电导率的透明导电氧化物

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摘要

[[abstract]]We report the fabrication and characterization of zinc-indium-oxide films with similar electrical conductivity and better transparency in both the visible and infrared compared with indium-tin-oxide, a widely used transparent conductor in many technological applications. Dramatically superior transmission properties in the 1-1.5 mu m range in particular make zinc-indium-oxide attractive for use in infrared devices, where transparent electrodes are required. Resisitivities as low as 400 mu Omega cm result from doping with small quantities of Sn, Al, Ga, and Ge are also effective dopants. Deposition on glass and quartz substrates as amorphous films by pulsed laser deposition and dc reactive sputtering is described. (C) 1995 American Institute of Physics.
机译:[[摘要]]我们报道了与氧化铟锡(在许多技术应用中被广泛使用的透明导体)相比,具有相似的导电性并且在可见光和红外光下具有更好的透明性的氧化锌铟锡薄膜的制备和表征。在1-1.5微米范围内具有极佳的传输特性,特别是使锌-铟氧化物具有吸引力,可用于需要透明电极的红外设备。少量的Sn,Al,Ga和Ge掺杂可导致低至400μOΩcm的电阻率,也是有效的掺杂剂。描述了通过脉冲激光沉积和直流反应溅射在玻璃和石英基板上沉积为非晶膜的方法。 (C)1995年美国物理研究所。

著录项

  • 作者

    PHILLIPS JM;

  • 作者单位
  • 年度 2011
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 [[iso]]en
  • 中图分类

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