机译:通过使用通过有机金属化学气相沉积法生长的块状GaN缓冲结构来提高GaN层质量
机译:使用Rapic热工艺低压金属有机化学气相沉积法在Si(111)上生长的GaN缓冲层的微观结构
机译:温度升高速率对GaN缓冲层及随后通过金属有机化学气相沉积法生长的GaN覆盖层的影响
机译:通过金属有机化学气相沉积与GaN缓冲层一起生长的稀释磁性Ga_(1-x)Mn_xN / c-蓝宝石外延层的红外光学各向异性
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在独立的大块m平面衬底上开发同质外延生长的GaN薄膜层
机译:金属化学气相沉积种植的氮化镓外膜中的极性控制
机译:金属有机化学气相沉积生长基于ZnGa2O4外延层的NO气体传感器
机译:GaN缓冲层厚度对通过金属有机化学气相沉积法生长的AlN / GaN分布布拉格反射器性能的影响
机译:通过金属有机化学气相沉积在Gaassubstrates上生长的Inas(0.3)sb(0.7)层中载流子传输的详细分析