首页> 外文OA文献 >High-Q CMOS MEMS resonator oscillator fabricated in a MPW batch process
【2h】

High-Q CMOS MEMS resonator oscillator fabricated in a MPW batch process

机译:采用MPW批处理工艺制造的高Q CMOS MEMS谐振器振荡器

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

[[abstract]]This paper describes the design and characterization of a MEMS resonator oscillator fabricated in a 0.35-μm CMOS MEMS multi-project wafer (MPW) process. The polysilicon in CMOS is partially embedded in the microstructure to reduce the curl within less than 100 nm. The measured resonance frequency of the resonator is 116.1 kHz with a quality factor of 332 at 1 atm. The quality factor is raised to 930 under 0.07 torr and a dc-bias of 20V. The quality factor is further enhanced by placing the resonator in a self-oscillation positive feedback loop. The phase noise of the oscillator is −104 dBc/Hz at a 1-kHz offset and the equivalent quality factor is more than 120,000. Ten chips arbitrarily selected from the corners and center of the MPW are measured with resonant frequencies ranging from 115.9 to 116.2 kHz.
机译:[[摘要]]本文介绍了以0.35μmCMOS MEMS多项目晶圆(MPW)工艺制造的MEMS谐振器振荡器的设计和特性。 CMOS中的多晶硅部分嵌入微结构中,以减少小于100 nm的卷曲。测得的谐振器谐振频率为116.1 kHz,质量因子为1 atm时为332。在0.07托和20V直流偏置下,品质因数提高到930。通过将谐振器置于自激正反馈环路中,可以进一步提高品质因数。振荡器的相位噪声在1-kHz偏移下为−104 dBc / Hz,等效品质因数大于120,000。从MPW的角落和中心任意选择十个码片,并以115.9至116.2 kHz的谐振频率进行测量。

著录项

  • 作者

    S.-H. Tseng;

  • 作者单位
  • 年度 2012
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 [[iso]]en
  • 中图分类

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号