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Soft Photocurable Nanoimprint Lithography for Compound Semiconductor Nanostructures

机译:用于化合物半导体纳米结构的软光固化纳米压印光刻

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摘要

[[abstract]]Soft photocurable nanoimprint lithography is used to transfer nanoscale features to GaAs substrates. Only ambient conditions without externally applied imprinting pressure are required during the imprinting step. The pattern which is transferred consists of a dense array of 100 nm features, either one-dimensional lines or two-dimensional holes. Both wet etching and dry etching are used to etch the GaAs for pattern transfer. Examination by atomic force microscopy and scanning electron microscopy confirms faithful pattern transfer; defects are few enough and patterned areas are large enough for optoelectronic device applications.
机译:[[摘要]]使用可光固化的纳米压印光刻技术将纳米级特征转移到GaAs衬底上。在压印步骤中,仅需要没有外部施加压印压力的环境条件。转移的图案由100 nm特征的密集阵列(一维线或二维孔)组成。湿蚀刻和干蚀刻均用于蚀刻GaAs以进行图案转移。通过原子力显微镜和扫描电子显微镜的检查证实了图案的真实转印;对于光电子器件应用而言,缺陷很少且图案化的区域足够大。

著录项

  • 作者

    K. Meneou;

  • 作者单位
  • 年度 2012
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 [[iso]]en
  • 中图分类

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