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【2h】

Formation and microstructure of mesoporous silica films with ultralow dielectric constants

机译:具有超低介电常数的介孔二氧化硅膜的形成和微观结构

摘要

[[abstract]]The triblock copolymer Pluronic P-123 (P123) templated silica films were deposited by spin coating on p-type silicon (100) wafers. Trimethylchlorosilane (TMCS) was added to precursor silica sols to provide the necessary hydrophobicity for the resulting silica films. The dielectric constant and leakage current density of in situ derivatized mesoporous silica films were found to decrease with increasing concentration of TMCS in precursor solutions. The precursor aging time was found crucial on the surface morphology and reliability in dielectric properties of mesoporous silica films with ultralow dielectric constants of 1.7-2.1.
机译:[[摘要]]通过旋涂将三嵌段共聚物Pluronic P-123(P123)模板化的二氧化硅膜沉积在p型硅(100)晶片上。将三甲基氯硅烷(TMCS)添加到前体硅溶胶中,为所得的二氧化硅膜提供必要的疏水性。发现原位衍生的介孔二氧化硅薄膜的介电常数和漏电流密度随着前体溶液中TMCS浓度的增加而降低。发现前体老化时间对于介电二氧化硅薄膜的表面形态和可靠性至关重要,介电二氧化硅薄膜具有1.7-2.1的超低介电常数。

著录项

  • 作者

    Tsai TG;

  • 作者单位
  • 年度 2011
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 [[iso]]en
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