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【2h】

Lead barium zirconate perovskite films for electrically tunable applications

机译:铅锆钛酸钙钙钛矿薄膜,用于电可调性应用

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摘要

[[abstract]]Lead barium zirconate (PBZ) thin films were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by spincoating sol-gel precursor solutions to fabricate films for electrically tunable device applications. Randomly oriented (Pb1–xBax)ZrO3 cubic perovskite films with x = 0.4, 0.6, and 0.8 were formed after heat treating at 600 °C–750 °C. The results demonstrated that the (Pb0.6Ba0.4)ZrO3 film possessed promising tunable dielectric properties as measured at 1 MHz. The (Pb0.6Ba0.4)ZrO3 film heat treated at 750 °C has a dielectric dissipation factor (tan ) of 0.007 and a dielectric tunability of 43%. The figure of merit of the (Pb0.6Ba0.4)ZrO3 film is 61.43, which is comparable with the foremost investigated (BaSr)TiO3 films.
机译:[[摘要]]通过旋涂溶胶-凝胶前体溶液在Pt / Ti / SiO2 / Si衬底上沉积锆酸铅(PBZ)薄膜,以制造用于电可调器件应用的薄膜。在600°C–750°C的温度下进行热处理后,形成了x = 0.4、0.6和0.8的无规取向(Pb1-xBax)ZrO3立方钙钛矿薄膜。结果表明,(Pb0.6Ba0.4)ZrO3薄膜在1 MHz下具有良好的可调介电性能。在750°C热处理的(Pb0.6Ba0.4)ZrO3薄膜的介电损耗因子(tan)为0.007,介电可调性为43%。 (Pb0.6Ba0.4)ZrO3膜的品质因数为61.43,与最先研究的(BaSr)TiO3膜相当。

著录项

  • 作者

    Mei-Hai Wu;

  • 作者单位
  • 年度 2011
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 [[iso]]en
  • 中图分类

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