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High performance micro-crystallized TaN/SrTiO3/TaN capacitors for analog and RF applications

机译:高性能微晶化TaN / SrTiO3 / TaN电容器,用于模拟和RF应用

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摘要

[[abstract]]Using micro-crystallized high-k SrTiO3 on N+-treated TaN, very high 28 fF/mum2 capacitance density, low voltage linearity (alpha) of 92 ppm/V2 and small leakage of 3times10-8 A/cm2 at 2V are beyond ITRS spec of analog capacitor at year 2018. Further improving to 44 fF/mum2 and low alpha of 54 ppm/V2 are obtained for higher speed analog/RF ICs at 2 GHz
机译:[[摘要]]在N +处理的TaN上使用微晶化的高k SrTiO3、28 fF / m2的非常高的电容密度,92 ppm / V2的低电压线性度(α)和3×10-8 A / cm2的小泄漏2V在2018年超出了模拟电容器的ITRS规范。对于2 GHz的高速模拟/ RF IC,进一步提高到44 fF / mm2和低的54 ppm / V2的alpha值

著录项

  • 作者

    K. Chiang;

  • 作者单位
  • 年度 2011
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 [[iso]]en
  • 中图分类

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