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Effect of Al incorporation in the thermal stability of atomic-layer-deposited HfO2 for gate dielectric applications

机译:Al的掺入对原子层沉积HfO2在栅极介电应用中热稳定性的影响

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摘要

[[abstract]]The thermal stability in structural and electrical properties of HfO2, HfAlOx alloy, and Al2O3/HfO2 stack thin films prepared by atomic layer deposition were comparatively investigated. Both HfAlOx and Al2O3/HfO2 exhibit improved property against thermal degradation compared to the HfO2 film. However, the incorporation of Al in alloy form provides characteristics superior to that in stack structure by retaining an amorphous structure up to 1000°C, which suppresses the leakage current and retards the growth of interfacial layer giving rise to lower increment of equivalent-oxide-thickness and interface trap density
机译:[[摘要]]比较研究了通过原子层沉积制备的HfO2,HfAlOx合金和Al2O3 / HfO2叠层薄膜在结构和电学性质上的热稳定性。与HfO2膜相比,HfAlOx和Al2O3 / HfO2均表现出改善的抗热降解性能。但是,通过以高达1000°C的温度保持非晶态结构,以合金形式掺入Al可以提供优于叠层结构的特性,从而抑制了漏电流并阻碍了界面层的生长,从而降低了当量氧化物的增量。厚度和界面陷阱密度

著录项

  • 作者

    Chiou Y.-K.;

  • 作者单位
  • 年度 2011
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 [[iso]]en
  • 中图分类

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