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Light-flash induced metallic silicides from titanium films on silicon

机译:由硅上的钛膜产生的闪光引起的金属硅化物

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摘要

[[abstract]]Reaction of thin titanium films on silicon has been observed in forming polyphase silicides by flash irradiations with full width at half-maximum of 100 ms. Ion back scattering and optical micrographic studies show that the metallization occurs only when the temperature of the metal surface reaches the melting point. The experimental threshold irradiation energy density for the metal surface to reach the melting point is 17.6 J/cm2, which is close to the theoretical value of 20.4 J/cm2, based on the strong-thermal-diffusion-limit approach.
机译:[[摘要]]在通过闪光辐射形成半硅最大值为100 ms的全宽度的多相硅化物中,已经观察到硅上钛薄膜的反应。离子反向散射和光学显微研究表明,仅当金属表面的温度达到熔点时才会发生金属化。基于强热扩散极限方法,金属表面达到熔点的实验阈值辐照能量密度为17.6 J / cm2,接近理论值20.4 J / cm2。

著录项

  • 作者

    Juh Tzeng Lue;

  • 作者单位
  • 年度 2011
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 [[iso]]en
  • 中图分类

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