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【2h】

Growth and characterization of In{sub 0.2}Ga{sub 0.8}Sb device structures using metalorganic vapor phase epitaxy

机译：使用金属有机气相外延生长和表征In {sub 0.2} Ga {sub 0.8} sb器件结构

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Ehsani, H.; Bhat, I.; Hitchcock, C.; Gutmann, R.; Charache, G.; Freeman, M.;
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年度 1997
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